Единое окно инноваций
📡 Материал для мобильной связи нового поколения разработали в Новосибирске
Ученые Института физики полупроводников СО РАН вместе с коллегами из НИЦ «Курчатовский институт» усовершенствовали специальный материал на основе диоксида гафния. Он может использоваться в современных транзисторах — ключевых элементах практически всей электронной техники.
Зачем это нужно? Новый материал позволяет работать при более низком напряжении, а значит, снижать энергопотребление устройств. При этом транзисторы могут быстрее переключаться.
В перспективе технология может найти применение в создании быстрой и износостойкой энергонезависимой памяти, а также в устройствах мобильной связи нового поколения. То есть разработки ученых потенциально помогут создавать электронику, которая потребляет меньше энергии и работает быстрее.
👉 ПОДРОБНЕЕ
Продолжаем рассказывать про технологии и разработки, которые создаются в Новосибирске.
#инновациисибири Если у вас установлено приложение,
вы можете сразу перейти в канал